HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-laye的縮寫，意為本征薄膜異質結.HIT太陽能電池是以光照射側的p/i型a-si膜（膜厚5~10nm）和背面側的i/n型a-si膜（膜厚5~10nm）夾住單結晶Si片的來構成的.HIT電池是日本Sanyo公司發明的異質結電池的一種，其特點是再發射極和背面高濃度摻雜層與基片之間添加了一層本征非晶硅層。 HIT電池發展歷史 >1968年，第一個a-Si/c-Si異質結器件。 >1974年，第一個氫化非晶硅器件。（a- Si:H，H鈍化，減少缺陷） >1983年，第一個太陽能電池。 >2010年，轉換效率達到23%。

 HIT電池

電池基板以硅基板為主；在硅基板上沉積高能隙（Energy band gap） 的硅奈米薄膜，表層再沉積透明導電膜，背表面有著背表面電場。 通過優化硅的表面織構，可以降低透明導電氧化層（TCO）和a-Si層的光學吸收損耗。HIT電池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增強n型c-Si的光吸收率。 HIT 電池技術上的優勢 由于HIT太陽能電池使用a-Si構成pn結，所以能夠在200℃以下的低溫完成整個工序。和原來的熱擴散型的結晶太陽電池的形成溫度（~900℃）相比較，大幅度地降低了制造工藝的溫度。由于這種對稱構造和低溫工藝的特征，減少了因熱量或者膜形成時產生的Si晶片的變形和熱損傷，對實現晶片的輕薄化和高效化來說是有利的，具有業界領先的高轉換效率（研究室水平為23%，量產水平為20%），即使在高溫下，轉換效率也極少降低，利用雙面單元來提高發電量。